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Référence fabricant | ER1840-29JP |
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Numéro de pièce future | FT-ER1840-29JP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | ER1840 |
ER1840-29JP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Molded |
Matériau - Noyau | Iron |
Inductance | 9.1µH |
Tolérance | ±5% |
Note actuelle | 440mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 605 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.9MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 42MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 7.9MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.187" Dia x 0.437" L (4.75mm x 11.10mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ER1840-29JP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ER1840-29JP-FT |
ER1840-113JM
API Delevan Inc.
ER1840-113JP
API Delevan Inc.
ER1840-113JR
API Delevan Inc.
ER1840-114JM
API Delevan Inc.
ER1840-114JP
API Delevan Inc.
ER1840-114JR
API Delevan Inc.
ER1840-11JM
API Delevan Inc.
ER1840-11JP
API Delevan Inc.
ER1840-11JR
API Delevan Inc.
ER1840-11KM
API Delevan Inc.
XC3S50AN-5TQG144C
Xilinx Inc.
XA3S200-4FTG256Q
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P250-1FGG256
Microsemi Corporation
A3PN125-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP20K300EBC672-2X
Intel
10AX016C3U19E2LG
Intel
APA075-FGG144A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP384-CM81TR
Lattice Semiconductor Corporation