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Référence fabricant | ER1840-11JP |
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Numéro de pièce future | FT-ER1840-11JP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | ER1840 |
ER1840-11JP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Molded |
Matériau - Noyau | Phenolic |
Inductance | 1.2µH |
Tolérance | ±5% |
Note actuelle | 785mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 400 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.9MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 180MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 7.9MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.187" Dia x 0.437" L (4.75mm x 11.10mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ER1840-11JP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ER1840-11JP-FT |
ER1840-02JM
API Delevan Inc.
ER1840-02JP
API Delevan Inc.
ER1840-02JR
API Delevan Inc.
ER1840-02JS
API Delevan Inc.
ER1840-02KM
API Delevan Inc.
ER1840-02KP
API Delevan Inc.
ER1840-03JM
API Delevan Inc.
ER1840-03JP
API Delevan Inc.
ER1840-03JR
API Delevan Inc.
ER1840-03KM
API Delevan Inc.
XC2VP30-6FGG676C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BGG456I
Microsemi Corporation
A3PN125-1VQ100I
Microsemi Corporation
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F35I2LG
Intel
5AGXBA5D4F35I5N
Intel
EP2S180F1508C4N
Intel
EPF81188AQC240-4
Intel