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EPC EPC2107ENGRT

Name: EPC2107ENGRT
Brand: EPC
SKU: EPC2107ENGRT
Price: 0.6944 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (689 reviews)

Numéro de pièce MFG: EPC2107ENGRT

quantité disponible: 48140 Pièces

Prix de référence: USD 0.6944

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: EPC

Brève description: eGaN® GAN TRANS 3N-CH 100V BUMPED DIE

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: EPC2107ENGRT.pdf

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EPC2107ENGRT Caractéristiques

Référence fabricant	EPC2107ENGRT
Numéro de pièce future	FT-EPC2107ENGRT
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	eGaN®
EPC2107ENGRT Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Caractéristique FET	GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	1.7A, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Puissance - Max	-
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	9-VFBGA
Package d'appareils du fournisseur	9-BGA (1.35x1.35)
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
EPC2107ENGRT Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	EPC2107ENGRT-FT

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