maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / EPC2014C
Référence fabricant | EPC2014C |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-EPC2014C |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | eGaN® |
EPC2014C Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 10A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 10A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 2mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 5V |
Vgs (Max) | +6V, -4V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 20V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | Die Outline (5-Solder Bar) |
Paquet / caisse | Die |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EPC2014C Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EPC2014C-FT |
FDMS2572
ON Semiconductor
FDMS2672
ON Semiconductor
FDMS3672
ON Semiconductor
FDMS5672
ON Semiconductor
FQPF7N65CYDTU
ON Semiconductor
FQPF8N80CYDTU
ON Semiconductor
FQPF5N50CYDTU
ON Semiconductor
FQPF2N80YDTU
ON Semiconductor
FQPF47P06YDTU
ON Semiconductor
FQPF9P25YDTU
ON Semiconductor
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel