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ON Semiconductor FQPF2N80YDTU

Name: FQPF2N80YDTU
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQPF2N80YDTU
Price: 0.728648 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (536 reviews)

Numéro de pièce MFG: FQPF2N80YDTU

quantité disponible: 41700 Pièces

Prix de référence: USD 0.728648

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: QFET® MOSFET N-CH 800V TO-220-3

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: FQPF2N80YDTU.pdf

FQPF2N80YDTU Caractéristiques

Référence fabricant	FQPF2N80YDTU
Numéro de pièce future	FT-FQPF2N80YDTU
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	QFET®
FQPF2N80YDTU Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	800V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	1.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.3 Ohm @ 750mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	550pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	35W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-220F-3 (Y-Forming)
Paquet / caisse	TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQPF2N80YDTU Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	FQPF2N80YDTU-FT

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