maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / EMG2DXV5T5
Référence fabricant | EMG2DXV5T5 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-EMG2DXV5T5 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EMG2DXV5T5 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 47 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 230mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-553 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-553 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMG2DXV5T5 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EMG2DXV5T5-FT |
NSBC144EPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBA115EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC123EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBA114EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBA124EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC114EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC114EPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC114EDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBC124EDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBC113EPDXV6T1G
ON Semiconductor
XC7A50T-1FT256I
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-N3FGG484I
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FG484C
Xilinx Inc.
M2GL005-VFG400
Microsemi Corporation
A42MX16-3VQG100
Microsemi Corporation
5SGXMB5R3F43C4N
Intel
LCMXO2-4000ZE-3FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB7G4F35C5N
Intel
EP20K100EFI324-2X
Intel
EPF10K50VRC240-4N
Intel