maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / EMG2DXV5T1G
Référence fabricant | EMG2DXV5T1G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-EMG2DXV5T1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EMG2DXV5T1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 47 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 230mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-553 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-553 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMG2DXV5T1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EMG2DXV5T1G-FT |
NSBA123EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC144EPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBA115EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC123EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBA114EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBA124EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC114EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC114EPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC114EDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBC124EDXV6T5G
ON Semiconductor
XC6SLX16-2FT256C
Xilinx Inc.
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A40MX02-3PLG68I
Microsemi Corporation
5CGXFC4C6F27C6N
Intel
5SGSED6K3F40C2L
Intel
EP4SE530F43I3N
Intel
A42MX09-3PL84
Microsemi Corporation
APA450-FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VRC240-1N
Intel