maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / EMD6T2R
Référence fabricant | EMD6T2R |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-EMD6T2R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EMD6T2R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | - |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Puissance - Max | 150mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-563, SOT-666 |
Package d'appareils du fournisseur | EMT6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMD6T2R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EMD6T2R-FT |
RN1902T5LFT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1905(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1905,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1906(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1906,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1907,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1908(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1909(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1911(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2901(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage