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Référence fabricant | ELL-CTV120M |
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Numéro de pièce future | FT-ELL-CTV120M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | V |
ELL-CTV120M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 12µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 3.7A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 22 mOhm |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | - |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.472" L x 0.472" W (12.00mm x 12.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.177" (4.50mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-CTV120M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ELL-CTV120M-FT |
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EP1C6T144C7N
Intel
XA6SLX75-3FGG484Q
Xilinx Inc.
XC6SLX75-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1AGLE3000V2-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208M
Microsemi Corporation
5SGXMA7K2F40C1
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
10AX115N2F45E1SG
Intel
EP2AGX125EF35C6
Intel
EP2AGZ350FF35I3N
Intel