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Référence fabricant | ELL-4GM220M |
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Numéro de pièce future | FT-ELL-4GM220M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | M |
ELL-4GM220M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 22µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 350mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 560 mOhm |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | - |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.150" L x 0.150" W (3.80mm x 3.80mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.059" (1.50mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-4GM220M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ELL-4GM220M-FT |
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A1415A-PQ100C
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CSG325I
Xilinx Inc.
LAXP2-8E-5QN208E
Lattice Semiconductor Corporation
10M25DAF484C7G
Intel
5SGXMA4K1F35C2LN
Intel
EP4SGX530HH35C3NES
Intel
XC2VP20-6FF1152C
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FFG900I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-CSG281
Microsemi Corporation
EP4CE40F29I7N
Intel