maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / EL817(S)(A)(TB)-G
Référence fabricant | EL817(S)(A)(TB)-G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-EL817(S)(A)(TB)-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EL817(S)(A)(TB)-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 5000Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 80% @ 5mA |
Ratio de transfert actuel (max) | 160% @ 5mA |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | - |
Temps de montée / descente (type) | 6µs, 8µs |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Transistor |
Tension - Sortie (Max) | 80V |
Courant - Sortie / Canal | 50mA |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 200mV |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 110°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 4-SMD, Gull Wing |
Package d'appareils du fournisseur | 4-SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EL817(S)(A)(TB)-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EL817(S)(A)(TB)-G-FT |
TIL111VM
ON Semiconductor
4N32SR2M
ON Semiconductor
4N28SM
ON Semiconductor
4N37SM
ON Semiconductor
4N36SM
ON Semiconductor
4N35SVM
ON Semiconductor
4N25VM
ON Semiconductor
TIL111M
ON Semiconductor
TIL117M
ON Semiconductor
FOD817C3SD
ON Semiconductor
XC6SLX45-2CSG484I
Xilinx Inc.
XC2V1000-4FGG256C
Xilinx Inc.
XC2V40-4FGG256I
Xilinx Inc.
EP3C55U484C8N
Intel
10M16DCF484C7G
Intel
5SGXEA7N2F40I2LN
Intel
EP4SGX230KF40C4
Intel
5SGXEA4K2F40I3L
Intel
AGL125V5-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-5F900I
Lattice Semiconductor Corporation