Référence fabricant | 4N25VM |
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Numéro de pièce future | FT-4N25VM |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
4N25VM Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 4170Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 20% @ 10mA |
Ratio de transfert actuel (max) | - |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | 2µs, 2µs |
Temps de montée / descente (type) | - |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Transistor with Base |
Tension - Sortie (Max) | 30V |
Courant - Sortie / Canal | - |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.18V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 500mV |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 100°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 6-DIP (0.300", 7.62mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 6-DIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
4N25VM Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 4N25VM-FT |
H11G1W
ON Semiconductor
H11G2300W
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H11G2W
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A42MX16-1VQ100M
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XC7VX1140T-L2FLG1930E
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XC7VX690T-2FFG1930I
Xilinx Inc.
LFXP3E-3QN208I
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LCMXO2280E-5FTN324C
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