maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / EL816(S1)(C)(TD)-V
Référence fabricant | EL816(S1)(C)(TD)-V |
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Numéro de pièce future | FT-EL816(S1)(C)(TD)-V |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EL816(S1)(C)(TD)-V Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 5000Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 200% @ 5mA |
Ratio de transfert actuel (max) | 400% @ 5mA |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | - |
Temps de montée / descente (type) | 4µs, 3µs |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Transistor |
Tension - Sortie (Max) | 80V |
Courant - Sortie / Canal | 50mA |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 200mV |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 110°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 4-SMD, Gull Wing |
Package d'appareils du fournisseur | 4-SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EL816(S1)(C)(TD)-V Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EL816(S1)(C)(TD)-V-FT |
EL357NA(TB)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL357NA-G
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EL357NA-VG
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EL357NB(TA)-G
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EL357NB(TA)-VG
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EL357NB(TB)-G
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EL357NB(TB)-VG
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EL357NB-G
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EL357NB-VG
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EL357NC(TA)-G
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LCMXO2280E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S5000-5FGG900C
Xilinx Inc.
MPF100TS-FCVG484I
Microsemi Corporation
A40MX02-PLG68I
Microsemi Corporation
EP20K600CF672I8N
Intel
5SGXEABN1F45I2N
Intel
XC6VLX195T-2FF784I
Xilinx Inc.
XC2V4000-4FF1152I
Xilinx Inc.
LFXP2-40E-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFD3H3F35I3N
Intel