maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / EL357NA(TB)-VG
Référence fabricant | EL357NA(TB)-VG |
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Numéro de pièce future | FT-EL357NA(TB)-VG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EL357NA(TB)-VG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 3750Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 80% @ 5mA |
Ratio de transfert actuel (max) | 160% @ 5mA |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | - |
Temps de montée / descente (type) | 3µs, 4µs |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Transistor |
Tension - Sortie (Max) | 80V |
Courant - Sortie / Canal | 50mA |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 50mA |
Vce Saturation (Max) | 200mV |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 110°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 4-SMD, Gull Wing |
Package d'appareils du fournisseur | 4-SOP (2.54mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EL357NA(TB)-VG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EL357NA(TB)-VG-FT |
EL1012(TA)-VG
Everlight Electronics Co Ltd
EL1012(TB)
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EL1012(TB)-V
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EL1012-G
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EL1012-VG
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EL1013(TA)-G
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EL1013(TB)
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EL1013(TB)-V
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EL1013-G
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EL1014(TA)-G
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XCV200E-7FG256C
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LCMXO1200E-3FTN256I
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5SGXMABK3H40I3N
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5SGXEA7H3F35C3N
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Xilinx Inc.
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EP1K100QC208-3
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