maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / EGP30FHE3/73
Référence fabricant | EGP30FHE3/73 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-EGP30FHE3/73 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SUPERECTIFIER® |
EGP30FHE3/73 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 300V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 300V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-201AA, DO-27, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | GP20 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EGP30FHE3/73 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EGP30FHE3/73-FT |
1N6482HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6482HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6483-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6483HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6483HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6484-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6484HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6484HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM10-1000HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM10-1000HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP20K30EFC144-2X
Intel
XC6VCX240T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
A42MX24-PQ160M
Microsemi Corporation
LFEC15E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6F23I7N
Intel
EP2AGX65DF29C6
Intel
EP20K160EQC240-1N
Intel