maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / 1N6482HE3/97
Référence fabricant | 1N6482HE3/97 |
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Numéro de pièce future | FT-1N6482HE3/97 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SUPERECTIFIER® |
1N6482HE3/97 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 1A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-213AB, MELF (Glass) |
Package d'appareils du fournisseur | DO-213AB |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N6482HE3/97 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1N6482HE3/97-FT |
1N6482-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41D-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-600-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41J-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6481-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6484-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM10-100-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM10-1000-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL41B-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL41J-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-2XA
Intel
5SGXMA7N2F45C2
Intel
M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
LFXP3E-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C6
Intel
EP1C12F324C8
Intel
EPF6024AQC208-3
Intel