Référence fabricant | EFE13C |
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Numéro de pièce future | FT-EFE13C |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EFE13C Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 75A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EFE13C Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EFE13C-FT |
GBJ2008-F
Diodes Incorporated
GBJ15005-F
Diodes Incorporated
GBJ2510-F
Diodes Incorporated
GBJ6005-F
Diodes Incorporated
GBJ2504-F
Diodes Incorporated
GBJ1010-F
Diodes Incorporated
GBJ2508-F
Diodes Incorporated
GBJ1506-F
Diodes Incorporated
GBJ1510-F
Diodes Incorporated
GBJ808-F
Diodes Incorporated
XCS20XL-5VQ100C
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQG208
Microsemi Corporation
EP20K160EFI484-2X
Intel
EP3SL200H780C4L
Intel
EP3C5E144C7
Intel
A40MX02-3PLG44
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F40I3LG
Intel
10AX032E1F27I1HG
Intel