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Référence fabricant | EDW4032BABG-50-F-D |
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Numéro de pièce future | FT-EDW4032BABG-50-F-D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EDW4032BABG-50-F-D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | RAM |
La technologie | SGRAM - GDDR5 |
Taille mémoire | 4Gb (128M x 32) |
Fréquence d'horloge | 1.25GHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.31V ~ 1.65V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDW4032BABG-50-F-D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EDW4032BABG-50-F-D-FT |
EDFA112A2PF-GD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDFA112A2PF-JD-F-D
Micron Technology Inc.
EDFA112A2PF-JD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDFA164A2MA-GD-F-D
Micron Technology Inc.
EDFA164A2MA-GD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDFA164A2MA-JD-F-D
Micron Technology Inc.
EDFA164A2MA-JD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDFA164A2PB-JD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDFA164A2PF-GD-F-D
Micron Technology Inc.
EDFA164A2PF-GD-F-R TR
Micron Technology Inc.
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel