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Référence fabricant | EDFA112A2PF-GD-F-R TR |
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Numéro de pièce future | FT-EDFA112A2PF-GD-F-R TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EDFA112A2PF-GD-F-R TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Taille mémoire | 16Gb (128M x 128) |
Fréquence d'horloge | 800MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.14V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDFA112A2PF-GD-F-R TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EDFA112A2PF-GD-F-R TR-FT |
DS28E81+T
Maxim Integrated
DS28E81P+
Maxim Integrated
DS28E81P+T
Maxim Integrated
DS28EL15GA+U
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DS28EL15Q-742+3TW
Maxim Integrated
DS28EL15Q-742+4TW
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DS28EL15Q-742+5TW
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DS28EL15Q-742+6TW
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DS28EL35QA-742+2BW
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DS28EL35QA-742+2TW
Maxim Integrated
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
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EPF10K30EFC256-3
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LFE2-20E-5F484C
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