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Référence fabricant | EDFP112A3PF-JDTJ-F-R TR |
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Numéro de pièce future | FT-EDFP112A3PF-JDTJ-F-R TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EDFP112A3PF-JDTJ-F-R TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Taille mémoire | 24Gb (192M x 128) |
Fréquence d'horloge | 933MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.14V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 105°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDFP112A3PF-JDTJ-F-R TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EDFP112A3PF-JDTJ-F-R TR-FT |
EDF8164A3MD-GD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDF8164A3PD-GD-F-D
Micron Technology Inc.
EDF8164A3PF-GD-F-D
Micron Technology Inc.
EDF8164A3PF-GD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDF8164A3PF-JD-F-D
Micron Technology Inc.
EDF8164A3PF-JD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDF8164A3PK-GD-F-D
Micron Technology Inc.
EDF8164A3PK-GD-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDF8164A3PK-JD-F-D
Micron Technology Inc.
EDF8164A3PK-JD-F-R
Micron Technology Inc.
XC3S1000-4FGG320I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FG484I
Microsemi Corporation
M2GL050TS-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N3F40C4N
Intel
EP2AGZ350FH29I4N
Intel
5SGSED6N1F45I2N
Intel
XC5VFX130T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
EPF10K70RC240-3N
Intel
5AGZME1H3F35C4N
Intel