maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / EDF8164A3PK-JD-F-R
Référence fabricant | EDF8164A3PK-JD-F-R |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-EDF8164A3PK-JD-F-R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EDF8164A3PK-JD-F-R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Taille mémoire | 8Gb (128M x 64) |
Fréquence d'horloge | 933MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.14V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDF8164A3PK-JD-F-R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EDF8164A3PK-JD-F-R-FT |
DS2433X-300-EC#TW
Maxim Integrated
DS2433X-S/T&R
Maxim Integrated
DS2433X-Z01
Maxim Integrated
DS2501S-UNW-111B/T&R
Maxim Integrated
DS2502AX-500-00/T&R/
Maxim Integrated
DS28E05GB+U
Maxim Integrated
DS28E07+W
Maxim Integrated
DS28E15G+U
Maxim Integrated
DS28E15X+UW
Maxim Integrated
DS28E81+
Maxim Integrated
A3P015-QNG68I
Microsemi Corporation
EP1K30TI144-2
Intel
LCMXO2280C-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S75-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
ICE40UL1K-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-VQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX45-2CSG324C
Xilinx Inc.
A42MX24-PQG160I
Microsemi Corporation
10M16DCU324I7G
Intel
EP4CE55F29C8N
Intel