maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / EDB4064B4PB-1DIT-F-R TR
Référence fabricant | EDB4064B4PB-1DIT-F-R TR |
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Numéro de pièce future | FT-EDB4064B4PB-1DIT-F-R TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EDB4064B4PB-1DIT-F-R TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Taille mémoire | 4Gb (64M x 64) |
Fréquence d'horloge | 533MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.14V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 216-WFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 216-WFBGA (12x12) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDB4064B4PB-1DIT-F-R TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EDB4064B4PB-1DIT-F-R TR-FT |
MT41K512M8RH-125 XIT:E TR
Micron Technology Inc.
MT41K512M8RH-125:E
Micron Technology Inc.
MT41K512M8RH-125:E TR
Micron Technology Inc.
MT40A2G8NRE-083E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A4G4NRE-083E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-075E AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-075E IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-075E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-083E AAT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-083E AIT:B TR
Micron Technology Inc.
EPF10K30ATI144-3N
Intel
A54SX32A-2FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6FN900I
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A54SX16-1VQ100I
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5SGSED6N3F45I4N
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5SGSMD5H2F35I3L
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A40MX04-FPL84
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LFXP6C-4F256I
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LFE2-35E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL150F780I3N
Intel