maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT41K512M8RH-125:E TR
Référence fabricant | MT41K512M8RH-125:E TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT41K512M8RH-125:E TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT41K512M8RH-125:E TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR3L |
Taille mémoire | 4Gb (512M x 8) |
Fréquence d'horloge | 800MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 13.75ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.283V ~ 1.45V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 78-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 78-FBGA (9x10.5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT41K512M8RH-125:E TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT41K512M8RH-125:E TR-FT |
M29W800DT70ZE6F TR
Micron Technology Inc.
M28W320ECB70ZB6T TR
Micron Technology Inc.
M28W320ECT70ZB6T TR
Micron Technology Inc.
M28W320FCB70ZB6E
Micron Technology Inc.
M28W320FCB70ZB6F TR
Micron Technology Inc.
M28W320FCT70ZB6E
Micron Technology Inc.
M28W320FCT70ZB6F TR
Micron Technology Inc.
M28W320HSB70ZB6E
Micron Technology Inc.
M28W320HST70ZB6E
Micron Technology Inc.
M28W320HSU70ZB6E
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel