maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / EDB4064B3PB-8D-F-D
Référence fabricant | EDB4064B3PB-8D-F-D |
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Numéro de pièce future | FT-EDB4064B3PB-8D-F-D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
EDB4064B3PB-8D-F-D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Taille mémoire | 4Gb (64M x 64) |
Fréquence d'horloge | 400MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.14V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 216-WFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 216-WFBGA (12x12) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDB4064B3PB-8D-F-D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | EDB4064B3PB-8D-F-D-FT |
MT41K512M8RH-125:E
Micron Technology Inc.
MT41K512M8RH-125:E TR
Micron Technology Inc.
MT40A2G8NRE-083E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A4G4NRE-083E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-075E AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-075E IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-075E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-083E AAT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-083E AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8WE-083E IT:B TR
Micron Technology Inc.
A42MX36-BGG272
Microsemi Corporation
A3PN125-Z2VQ100
Microsemi Corporation
EP2C70F672I8
Intel
EP4CGX110DF27C8N
Intel
EP20K30EFI144-2X
Intel
XC7K480T-L2FFG901I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
EP1C12F324C7N
Intel