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Référence fabricant | DZ600N12KHPSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-DZ600N12KHPSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DZ600N12KHPSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 735A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.4V @ 2200A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 40mA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DZ600N12KHPSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DZ600N12KHPSA1-FT |
VSSAF3L45HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF3M10-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF3M10-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF3M10HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF3M10HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF3M6-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF3M6-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF3M6HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF3M6HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF510-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S50-5TQ144C
Xilinx Inc.
XC3S500E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2S200-5FG456I
Xilinx Inc.
M2GL025T-FGG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K200SFC672-1
Intel
5SGXEB5R2F43C2L
Intel
XC4044XL-1HQ208C
Xilinx Inc.
LFEC33E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation