maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Zener - Tableaux / DZ23C9V1-E3-18
Référence fabricant | DZ23C9V1-E3-18 |
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Numéro de pièce future | FT-DZ23C9V1-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
DZ23C9V1-E3-18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration | 1 Pair Common Cathode |
Tension - Zener (Nom) (Vz) | 9.1V |
Tolérance | ±5% |
Puissance - Max | 300mW |
Impédance (Max) (Zzt) | 10 Ohms |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100nA @ 7V |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DZ23C9V1-E3-18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DZ23C9V1-E3-18-FT |
DZ23C36-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C36-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C36-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C39-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C39-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C39-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C39-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C39-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C39-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DZ23C3V0-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-4SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P060-1VQ100
Microsemi Corporation
EP1S20F672C6N
Intel
10M25DCF256A7G
Intel
10M04SFE144C7G
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
LCMXO2-2000HC-5FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation