maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / DURF1030CT
Référence fabricant | DURF1030CT |
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Numéro de pièce future | FT-DURF1030CT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | DUR |
DURF1030CT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 300V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 45ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 30µA @ 300V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 Isolated Tab |
Package d'appareils du fournisseur | ITO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DURF1030CT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DURF1030CT-FT |
BAT160C,115
Nexperia USA Inc.
BYV40E-150,115
WeEn Semiconductors
BYV415K-600PQ
WeEn Semiconductors
BAV99QAZ
Nexperia USA Inc.
BAV170QAZ
Nexperia USA Inc.
BAV70QAZ
Nexperia USA Inc.
BAW56QAZ
Nexperia USA Inc.
PMEG2020CPA,115
Nexperia USA Inc.
PMEG4010CPA,115
Nexperia USA Inc.
PMEG4010CPASX
Nexperia USA Inc.
AT6002A-4AI
Microchip Technology
M2GL025T-1VFG400I
Microsemi Corporation
10CX085YU484I5G
Intel
10M08DCF256I7G
Intel
5SGSMD8K2F40I2LN
Intel
XC4VSX35-10FFG668C
Xilinx Inc.
XC7A50T-L2CPG236E
Xilinx Inc.
AGLP125V5-CSG289I
Microsemi Corporation
EP20K160EQC240-3
Intel
EPF10K10QI208-4N
Intel