maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / BAV170QAZ
Référence fabricant | BAV170QAZ |
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Numéro de pièce future | FT-BAV170QAZ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
BAV170QAZ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 75V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 180mA (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 150mA |
La vitesse | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Temps de récupération inverse (trr) | 3µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5nA @ 75V |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 3-XDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | DFN1010D-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAV170QAZ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BAV170QAZ-FT |
SBRB1545CTG
ON Semiconductor
SURHB8840CTT4G
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MBRB2535CTL
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MBRB2535CTLT4
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MBRB2545CTT4
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MBRB3030CT
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MBRB3030CTL
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MURB1620CTR
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MURB1620CTRT4
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LCMXO2-1200ZE-1TG100C
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XC4005E-4PQ208I
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M2GL090-1FCSG325I
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XC6SLX25T-3FGG484I
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A54SX08A-2PQG208
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LCMXO3L-2100E-5UWG49CTR1K
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EP4CE75F23I7
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EP2SGX60EF1152I4N
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A3P250-1FGG144T
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EP1AGX35DF780C6N
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