maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / DTC123JMT2L
Référence fabricant | DTC123JMT2L |
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Numéro de pièce future | FT-DTC123JMT2L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DTC123JMT2L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Puissance - Max | 150mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-723 |
Package d'appareils du fournisseur | VMT3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTC123JMT2L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DTC123JMT2L-FT |
RN1108(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1109(T5L,F,T)
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RN1110(T5L,F,T)
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RN1116(TE85L,F)
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RN1117(T5L,F,T)
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RN1118(T5L,F,T)
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RN2103(T5L,F,T)
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RN2104(T5L,F,T)
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LFXP3E-5T100C
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XC3S500E-4FG320I
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XA3S1200E-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XCVU065-1FFVC1517I
Xilinx Inc.
A3PE600-2FGG484
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LFE5UM5G-45F-8BG381C
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EP1S20B672C6
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5SGXEA9N2F45I2L
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A40MX04-1PLG84I
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LFXP2-17E-5FT256C
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