maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / DTC114YMFHAT2L
Référence fabricant | DTC114YMFHAT2L |
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Numéro de pièce future | FT-DTC114YMFHAT2L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
DTC114YMFHAT2L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased + Diode |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | - |
Résistance - Base (R1) | 10 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | - |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Puissance - Max | 150mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-723 |
Package d'appareils du fournisseur | VMT3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTC114YMFHAT2L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DTC114YMFHAT2L-FT |
RN1109ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
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