maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / RN1109CT(TPL3)
Référence fabricant | RN1109CT(TPL3) |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-RN1109CT(TPL3) |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RN1109CT(TPL3) Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 50mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 20V |
Résistance - Base (R1) | 47 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 22 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 50mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-101, SOT-883 |
Package d'appareils du fournisseur | CST3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1109CT(TPL3) Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RN1109CT(TPL3)-FT |
RN1442ATE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1444ATE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2402S,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2402S,LF(D
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2404TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2421(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1104,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1107,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1102,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1106,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO2-1200HC-6TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A15T-1FTG256C
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FGG256I
Xilinx Inc.
5SGSMD6K1F40C2LN
Intel
EP3SL200F1517C3
Intel
XC6VHX380T-1FFG1924I
Xilinx Inc.
XC4VFX100-10FF1152I
Xilinx Inc.
A3P060-1FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation