maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / RN1109CT(TPL3)
Référence fabricant | RN1109CT(TPL3) |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-RN1109CT(TPL3) |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
RN1109CT(TPL3) Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 50mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 20V |
Résistance - Base (R1) | 47 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 22 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 50mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-101, SOT-883 |
Package d'appareils du fournisseur | CST3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1109CT(TPL3) Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | RN1109CT(TPL3)-FT |
RN1442ATE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1444ATE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2402S,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2402S,LF(D
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2404TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2421(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1104,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1107,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1102,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1106,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
AGLN010V5-UCG36
Microsemi Corporation
LFE2M100E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
AGL060V5-VQG100
Microsemi Corporation
10M25DCF484I7G
Intel
5SGXEB6R2F40C3
Intel
5SGXMA7H2F35C2LN
Intel
EP3SL150F1152C2
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XC4VLX160-11FF1148C
Xilinx Inc.
EPF8452AQC160-3AC
Intel