maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / DTB723YMT2L
Référence fabricant | DTB723YMT2L |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-DTB723YMT2L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DTB723YMT2L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de transistor | PNP - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 200mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 30V |
Résistance - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 140 @ 100mA, 2V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 260MHz |
Puissance - Max | 150mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-723 |
Package d'appareils du fournisseur | VMT3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTB723YMT2L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DTB723YMT2L-FT |
RN2106CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2107ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2107CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2108ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2108CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2109ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2109CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2110CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2111CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2112CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
M1A3P400-FGG484I
Microsemi Corporation
MPF300TL-FCVG484E
Microsemi Corporation
A54SX16P-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEB5R1F40C2L
Intel
XC7VX330T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX24-PQ160
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200RC240-1X
Intel
5SGXMA3H2F35C3N
Intel