maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / DTA143EE-TP
Référence fabricant | DTA143EE-TP |
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Numéro de pièce future | FT-DTA143EE-TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DTA143EE-TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 4.7 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Puissance - Max | 150mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-523 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-523 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTA143EE-TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DTA143EE-TP-FT |
PDTC114TE,115
NXP USA Inc.
PDTC114YE,115
NXP USA Inc.
PDTC114YE,135
NXP USA Inc.
PDTC115EE,115
NXP USA Inc.
PDTC115TE,115
NXP USA Inc.
PDTC123EE,115
NXP USA Inc.
PDTC123JE,115
NXP USA Inc.
PDTC123TE,115
NXP USA Inc.
PDTC123YE,115
NXP USA Inc.
PDTC124EE,115
NXP USA Inc.
LFE2-70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E3F27E2LG
Intel
XC7VX485T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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Intel
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