maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / PDTC115EE,115
Référence fabricant | PDTC115EE,115 |
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Numéro de pièce future | FT-PDTC115EE,115 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
PDTC115EE,115 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 20mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 100 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 100 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1µA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 150mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-75, SOT-416 |
Package d'appareils du fournisseur | SC-75 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PDTC115EE,115 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | PDTC115EE,115-FT |
DTA123JET1
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DTA123JET1G
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XCS30XL-5TQ144C
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Microchip Technology
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10M50DAF672C6G
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XC5VLX110-1FF1760I
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XC6VLX130T-1FF484C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144I
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LFE2-12SE-5F484I
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5SGSMD3H2F35I2LN
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