maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / DTA123JE-TP
Référence fabricant | DTA123JE-TP |
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Numéro de pièce future | FT-DTA123JE-TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DTA123JE-TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | 250MHz |
Puissance - Max | 150mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-523 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-523 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTA123JE-TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DTA123JE-TP-FT |
PDTA144WE,115
NXP USA Inc.
PDTC114EE,115
NXP USA Inc.
PDTC114TE,115
NXP USA Inc.
PDTC114YE,115
NXP USA Inc.
PDTC114YE,135
NXP USA Inc.
PDTC115EE,115
NXP USA Inc.
PDTC115TE,115
NXP USA Inc.
PDTC123EE,115
NXP USA Inc.
PDTC123JE,115
NXP USA Inc.
PDTC123TE,115
NXP USA Inc.
LFXP3E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S500E-4FG320I
Xilinx Inc.
XA3S1200E-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XCVU065-1FFVC1517I
Xilinx Inc.
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20B672C6
Intel
5SGXEA9N2F45I2L
Intel
A40MX04-1PLG84I
Microsemi Corporation
LFXP2-17E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation