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Référence fabricant | DSEP30-12CR |
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Numéro de pièce future | FT-DSEP30-12CR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HiPerDynFRED™ |
DSEP30-12CR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 30A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 4.98V @ 30A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 15ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 250µA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | ISOPLUS247™ |
Package d'appareils du fournisseur | ISOPLUS247™ |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSEP30-12CR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DSEP30-12CR-FT |
HER604-TP
Micro Commercial Co
HER605-AP
Micro Commercial Co
HER605-TP
Micro Commercial Co
HER606-AP
Micro Commercial Co
HER606-TP
Micro Commercial Co
HER607-AP
Micro Commercial Co
HER607-TP
Micro Commercial Co
HER608-AP
Micro Commercial Co
HER608-TP
Micro Commercial Co
LSIC2SD120C08
Littelfuse Inc.
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel