maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / HER607-TP
Référence fabricant | HER607-TP |
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Numéro de pièce future | FT-HER607-TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
HER607-TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 6A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.7V @ 40V |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 75ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Capacité @ Vr, F | 65pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | R6, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | R-6 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HER607-TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | HER607-TP-FT |
SF51-AP
Micro Commercial Co
SF51-TP
Micro Commercial Co
SF52-AP
Micro Commercial Co
SF52-TP
Micro Commercial Co
SF53-AP
Micro Commercial Co
SF53-TP
Micro Commercial Co
SF54-AP
Micro Commercial Co
SF54-TP
Micro Commercial Co
SF55-AP
Micro Commercial Co
SF55-TP
Micro Commercial Co
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel