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Référence fabricant | DSEI2X61-10B |
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Numéro de pièce future | FT-DSEI2X61-10B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | FRED |
DSEI2X61-10B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 2 Independent |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 60A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.3V @ 60A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 3mA @ 1000V |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | SOT-227-4, miniBLOC |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-227B |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSEI2X61-10B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DSEI2X61-10B-FT |
APTDF400KK170G
Microsemi Corporation
APTDF400KK120G
Microsemi Corporation
APTDF400AK170G
Microsemi Corporation
APTDF400AK120G
Microsemi Corporation
APTDF400AA170G
Microsemi Corporation
APTDF400AA120G
Microsemi Corporation
APT60S20B2CTG
Microsemi Corporation
APT2X101S20J
Microsemi Corporation
APT2X61S20J
Microsemi Corporation
APT2X100D100J
Microsemi Corporation
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel