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Référence fabricant | DS28E01G-100+T&R |
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Numéro de pièce future | FT-DS28E01G-100+T&R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DS28E01G-100+T&R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 1Kb (256 x 4) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 2µs |
Interface mémoire | 1-Wire® |
Tension - Alimentation | 2.85V ~ 5.25V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 2-SFN |
Package d'appareils du fournisseur | 2-SFN (6x6) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS28E01G-100+T&R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DS28E01G-100+T&R-FT |
DS2502S+T&R
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XC6SLX100-2FG484I
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5SGXMA5H2F35I3LN
Intel
A1020B-PL44C
Microsemi Corporation
XC5VLX330T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC6SLX4-2CPG196I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FBG329
Microsemi Corporation
LCMXO2-256ZE-2UMG64I
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LCMXO2-4000HC-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4LN
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