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Référence fabricant | DS28EL25Q+T |
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Numéro de pièce future | FT-DS28EL25Q+T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | DeepCover® |
DS28EL25Q+T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 4Kb (256 x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 2µs |
Interface mémoire | 1-Wire® |
Tension - Alimentation | 1.71V ~ 1.89V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-WFDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 6-TDFN-EP (3x3) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS28EL25Q+T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DS28EL25Q+T-FT |
AT93C57-10SC-2.7
Microchip Technology
AT93C57-10SI-2.7
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AT93C57W-10SC
Microchip Technology
AT93C57W-10SC-2.5
Microchip Technology
AT93C57W-10SC-2.7
Microchip Technology
AT93C57W-10SI
Microchip Technology
AT93C57W-10SI-1.8
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AT93C57W-10SI-2.5
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AT93C57W-10SI-2.7
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AT93C66-10SC
Microchip Technology
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel