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Référence fabricant | DS1306N+ |
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Numéro de pièce future | FT-DS1306N+ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DS1306N+ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Clock/Calendar |
Caractéristiques | Alarm, Leap Year, NVSRAM, Square Wave Output, Trickle-Charger |
Taille mémoire | 96B |
Format de l'heure | HH:MM:SS (12/24 hr) |
Format de date | YY-MM-DD-dd |
Interface | SPI |
Tension - Alimentation | 2V ~ 5.5V |
Tension - Alimentation, batterie | 2V ~ 5.5V |
Actuel - Indication de l'heure (Max) | 25.3µA ~ 81µA @ 2V ~ 5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 16-DIP (0.300", 7.62mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 16-PDIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1306N+ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DS1306N+-FT |
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LCMXO2-1200ZE-3TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA6SLX25-3FTG256Q
Xilinx Inc.
XC2VP2-5FGG256C
Xilinx Inc.
XCV1000E-6FG900C
Xilinx Inc.
AGLN030V2-ZVQG100
Microsemi Corporation
EP4CE15E22I8L
Intel
XC4013E-1HQ208C
Xilinx Inc.
A42MX16-TQ176A
Microsemi Corporation
EP2S130F1020C5N
Intel
MPM7128QC100AA
Intel