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Référence fabricant | DS12CR887-33+ |
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Numéro de pièce future | FT-DS12CR887-33+ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DS12CR887-33+ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Clock/Calendar |
Caractéristiques | Alarm, Leap Year, NVSRAM, Square Wave Output, Trickle-Charger |
Taille mémoire | 114B |
Format de l'heure | HH:MM:SS (12/24 hr) |
Format de date | YY-MM-DD-dd |
Interface | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.97V ~ 3.63V |
Tension - Alimentation, batterie | 2V ~ 3.05V |
Actuel - Indication de l'heure (Max) | 2mA @ 2.97V ~ 3.63V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 24-EDIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS12CR887-33+ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DS12CR887-33+-FT |
DS1308U-3+T
Maxim Integrated
DS1308U-33+T
Maxim Integrated
DS1339AU+T
Maxim Integrated
DS1339BU+T
Maxim Integrated
DS1339U-2+T&R
Maxim Integrated
DS1339U-3+T&R
Maxim Integrated
DS1341U+T&R
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DS1371U+T&R
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DS1672U-33+T&R
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DS1371U+C01
Maxim Integrated
LCMXO2-640HC-4TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P1000-2FG256I
Microsemi Corporation
EP20K200FC484-2
Intel
5SGSMD3E3H29C2L
Intel
EP2AGX65DF25C6N
Intel
5SGXEBBR3H43C2L
Intel
XC7A100T-L2CSG324E
Xilinx Inc.
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
EP20K600EBC652-1GZ
Intel
EP4CGX30CF19C6N
Intel