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Référence fabricant | DS1230AB-70IND+ |
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Numéro de pièce future | FT-DS1230AB-70IND+ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DS1230AB-70IND+ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | NVSRAM |
La technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Taille mémoire | 256Kb (32K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
Temps d'accès | 70ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.75V ~ 5.25V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 28-EDIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1230AB-70IND+ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DS1230AB-70IND+-FT |
MR0A08BCSO35
Everspin Technologies Inc.
MR0A08BSO35
Everspin Technologies Inc.
MR0A08BSO35R
Everspin Technologies Inc.
MR256A08BCSO35
Everspin Technologies Inc.
MR256A08BCSO35R
Everspin Technologies Inc.
MR256A08BSO35
Everspin Technologies Inc.
MR256A08BSO35R
Everspin Technologies Inc.
MR4A16BMA35
Everspin Technologies Inc.
MR2A08ACMA35
Everspin Technologies Inc.
MR4A16BCMA35
Everspin Technologies Inc.
XA6SLX75-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PE3000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C16F256I7
Intel
5SGSED6K1F40C2L
Intel
XC5VLX50T-2FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K160T-L2FFG676E
Xilinx Inc.
XC4VLX15-11FF676I
Xilinx Inc.
LFE2-70SE-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation