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Référence fabricant | MR256A08BCSO35R |
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Numéro de pièce future | FT-MR256A08BCSO35R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MR256A08BCSO35R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | RAM |
La technologie | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
Taille mémoire | 256Kb (32K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 35ns |
Temps d'accès | 35ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 3V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 32-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 32-SOIC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MR256A08BCSO35R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MR256A08BCSO35R-FT |
IDT71024S20TY8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S20TYI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S20TYI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S20Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S20Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S20YI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71024S20YI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71124S12Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71124S12Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71124S12YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
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Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel