maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / DS1230AB-200+
Référence fabricant | DS1230AB-200+ |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-DS1230AB-200+ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DS1230AB-200+ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | NVSRAM |
La technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Taille mémoire | 256Kb (32K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 200ns |
Temps d'accès | 200ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.75V ~ 5.25V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 28-EDIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1230AB-200+ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DS1230AB-200+-FT |
MR256A08BCSO35
Everspin Technologies Inc.
MR256A08BCSO35R
Everspin Technologies Inc.
MR256A08BSO35
Everspin Technologies Inc.
MR256A08BSO35R
Everspin Technologies Inc.
MR4A16BMA35
Everspin Technologies Inc.
MR2A08ACMA35
Everspin Technologies Inc.
MR4A16BCMA35
Everspin Technologies Inc.
MR2A16ACMA35
Everspin Technologies Inc.
MR2A16AVMA35
Everspin Technologies Inc.
MR2A16AMA35
Everspin Technologies Inc.
XCS20-3TQ144I
Xilinx Inc.
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
LAE5UM-45F-7BG381E
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4K3F40I3L
Intel
XC4010E-3HQ208I
Xilinx Inc.
XC4VLX60-10FFG668C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-7F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EPF10K50VRI240-3
Intel