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Référence fabricant | DS1225Y-200IND+ |
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Numéro de pièce future | FT-DS1225Y-200IND+ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DS1225Y-200IND+ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | NVSRAM |
La technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Taille mémoire | 64Kb (8K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 200ns |
Temps d'accès | 200ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 28-EDIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1225Y-200IND+ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DS1225Y-200IND+-FT |
MR2A16ACMA35
Everspin Technologies Inc.
MR2A16AVMA35
Everspin Technologies Inc.
MR2A16AMA35
Everspin Technologies Inc.
MR256A08BCMA35
Everspin Technologies Inc.
MR4A08BMA35
Everspin Technologies Inc.
MR4A08BCMA35
Everspin Technologies Inc.
MR256D08BMA45
Everspin Technologies Inc.
MR0A16ACMA35R
Everspin Technologies Inc.
MR0A16AMA35
Everspin Technologies Inc.
MR0A16AMA35R
Everspin Technologies Inc.
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4H3F35C4N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel