maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / DRC2523E0L
Référence fabricant | DRC2523E0L |
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Numéro de pièce future | FT-DRC2523E0L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DRC2523E0L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 500mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 2.2 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 100mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 100mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1µA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 200mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | Mini3-G3-B |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRC2523E0L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DRC2523E0L-FT |
BCR133E6327HTSA1
Infineon Technologies
FJV3104RMTF
ON Semiconductor
FJV3102RMTF
ON Semiconductor
BCR148E6327HTSA1
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UNR221E00L
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BCR533E6327HTSA1
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UNR221M00L
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FJV3114RMTF
ON Semiconductor
BCR183E6327HTSA1
Infineon Technologies
UNR211V00L
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AGLN020V2-CSG81I
Microsemi Corporation
A54SX32A-1FGG256
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100FC256-2N
Intel
5SGXMBBR3H43I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3L
Intel
XA7A50T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
LFXP2-17E-5FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC3E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX30DF780C5
Intel