maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / DRC2115E0L
Référence fabricant | DRC2115E0L |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-DRC2115E0L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DRC2115E0L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 100 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 100 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 200mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | Mini3-G3-B |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRC2115E0L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DRC2115E0L-FT |
FJN4313RTA
ON Semiconductor
FJN4314RTA
ON Semiconductor
XP0NG8A00L
Panasonic Electronic Components
FJV3105RMTF
ON Semiconductor
BCR116E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR523E6327HTSA1
Infineon Technologies
FJV3113RMTF
ON Semiconductor
BCR108E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR135E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR503E6327HTSA1
Infineon Technologies
EX64-TQG64I
Microsemi Corporation
XCVU080-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z2QNG48
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256M
Microsemi Corporation
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484C4L
Intel
5SGXMB5R2F43C2LN
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
APA150-TQ100
Microsemi Corporation
5AGXFA7H4F35C4N
Intel