maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / FJN4313RTA
Référence fabricant | FJN4313RTA |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-FJN4313RTA |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
FJN4313RTA Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | PNP - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100nA (ICBO) |
Fréquence - Transition | 200MHz |
Puissance - Max | 300mW |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Package d'appareils du fournisseur | TO-92-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FJN4313RTA Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | FJN4313RTA-FT |
FJN4303RBU
ON Semiconductor
FJN4304RBU
ON Semiconductor
FJN4305RBU
ON Semiconductor
FJN4306RBU
ON Semiconductor
FJN4307RBU
ON Semiconductor
FJN4308RBU
ON Semiconductor
FJN4309RBU
ON Semiconductor
FJN4310RBU
ON Semiconductor
FJN4311RBU
ON Semiconductor
FJN4312RBU
ON Semiconductor
XC3S1200E-4FGG400C
Xilinx Inc.
XC3S400AN-4FGG400I
Xilinx Inc.
5SGXMB6R3F43I4N
Intel
XC5VSX50T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FFG1761I
Xilinx Inc.
A42MX24-FPQG160
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB3G4F35I5G
Intel
EPF10K100ARI240-3N
Intel
5SGXEA3H3F35I4N
Intel