maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / DRA2144T0L
Référence fabricant | DRA2144T0L |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-DRA2144T0L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
DRA2144T0L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 47 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 200mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | Mini3-G3-B |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA2144T0L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | DRA2144T0L-FT |
FJN3312RTA
ON Semiconductor
FJN3313RTA
ON Semiconductor
FJN3314RTA
ON Semiconductor
FJN3315RTA
ON Semiconductor
FJN4304RTA
ON Semiconductor
FJN4306RTA
ON Semiconductor
FJN4307RTA
ON Semiconductor
FJN4308RTA
ON Semiconductor
FJN4310RTA
ON Semiconductor
FJN4311RTA
ON Semiconductor
XC7A50T-2FTG256C
Xilinx Inc.
A3P250-VQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K50VFC484-2
Intel
5SGXMA7N2F40C2N
Intel
EP4SE360H29C4N
Intel
LCMXO2-7000HE-4BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-6FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C6NES
Intel
5SGXEA3H3F35C2LN
Intel
EP1SGX25FF1020C5N
Intel